第25回マイクロエレクトロニクス研究会(2013/11/09)プログラム |
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会場:戦災復興記念館 記念ホール
13:00〜13:35
「日本と韓国の新製品開発プロジェクト成功におけるあいまいな前段階での活動に関する比較研究」
東北大学 Ruslan Mammetseyidov
13:35〜14:10
「無彩色画素を有する高感度広ダイナミックレンジCMOSイメージセンサ」
東北大学 川田 峻
14:10〜14:45
「Evaluation of the 1/f noise in Si(110) p-mosfets」
東北大学 Philippe Gaubert
14:45〜15:20
「画像表示デバイスを用いたオンライン露光方式」
東北大学 森本 達郎
15:35〜16:10
「窒化ガリウムの超清浄表面処理の開発」
東北大学/住友電気工業梶@ 辻 幸洋
16:10〜16:45
「高電流駆動能力・低ノイズ微細MOSFETのデバイス構造・製造プロセスに関する研究」
東北大学 中尾 幸久
16:45〜17:40
「汚染やダメージをいっさい与えない製造技術による半導体デバイス製造」
東北大学 大見 忠弘
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過去の研究会プログラムおよび発表論文
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【第24回マイクロエレクトロクス研究会: 2012/11/10 仙台市戦災復興記念館】
【第23回マイクロエレクトロクス研究会: 2011/11/12 仙台市戦災復興記念館】